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| 半導体 |
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本ソフトは次世代ＵＬＳＩプロセスに対応した高速マスク パターン 演算を行います。 広範囲な業務に適用可能な マスク パターン演算機能を持っています。 広範囲なマスク図形演算  図形論理演算 ： 層内図形、層間図形に対し
２次元図形演算
{or, and, not, sub｝を行います。
リサイジング処理 ： 指定寸法の太らせ(Dilation)
やせらせ (Erosion) 処理を行います。
微小突起、スリット、陥没、ねじれの
除去を自動的に行います。
反転図形生成 ： ネガ型レジスト用マスクパターン生成
を行います。
位相図形抽出 ： 層間図形の包含関係
（＝内部図形、外部図形、接触図形他）
によってパターン抽出を行います。
図形抽出 ： 層間図形の包含関係
（＝内部図形、外部図形、接触図形 他）
によってパターン抽出を行います。
 マスク工程補正後EBファイルとマスク図形元ファイルを比較し、差分図形を抽出します。  マスク工程用補正前のGDSファイルまたはEBファイルの図形と
補正後のEBファイルの図形を比較して差分図形を出力します。
Sizing前後の比較の場合、CARATのサイズ補正アルゴリズム
を用いて高速にサイズ補正を行い、他の方法によるSizing後
図形との差分図形を検出します。
同一サイズ補正アルゴリズムを用いた比較の場合に生じる
同一不正図形の差分の見逃しの可能性は、CARATによる比較
では生じません。
OPC前後の比較の場合、OPCによるプラス補正図形
（増加部分の図形）、マイナス補正図形（減少部分の図形）を
それぞれ抽出します。
プラス補正図形、マイナス補正図形はぞれぞれ指定された
異なるレイヤーに出力します。
マスク工程用補正前のGDSファイルまたはEBファイルの図形
と補正後のEBファイルの図形を比較して差分図形を出力します。
Sizing前後の比較の場合、CARATのサイズ補正アルゴリズム
を用いて高速にサイズ補正を行い、他の方法によるSizing後
図形との差分図形を検出します。
同一サイズ補正アルゴリズムを用いた比較の場合に生じる同一
不正図形の差分の見逃しの可能性は、CARATによる比較では
生じません。
OPC前後の比較の場合、OPCによるプラス補正図形
（増加部分の図形）、
マイナス補正図形 （減少部分の図形）をそれぞれ抽出します。
プラス補正図形、マイナス補正図形はぞれぞれ指定された異なる
レイヤーに出力します。
   
OPC前とOPC後の図形を比較し、 Sizing前の図形をCARATの
それらの差分図形を抽出します。 アルゴリズムを用いて
差分図形はOPCによるプラス サイズ補正を行い、
補正図形とマイナス補正図形 Sizing後の図形との差分図形を
を異なるレイヤーに出力します。 検出します。
差分図形は、擬似エラー図形
（鋭角カットによる許容差分等）
と真のエラー図形（許容差分外の
不正図形）とに分類し
て出力します。真のエラー図形、
擬似エラー図形はそれぞれ指定
された異なるレイヤーに出力します。
擬似エラー図形は出力しない
ように指定することもできます。
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特徴
 階層処理 ＧＤＳⅡ・ＯＡＳＩＳファイルで記述されている セル階層構造を保持して演算を行います。 演算最適化処理 セル階層構造中の相似パターンを自動抽出し、 演算回数を最小化します。 図形表現最適化 フラット化と階層生成 ： セル階層構造をフラットに展開、
指定領域のセル化、
図形表現の最適化による自動セル
階層化を行います。
図形のセル化、グループのセル化、アレイ表現最適化によりGDSファイルを圧縮します。
 マスク図形の線幅、回路間隔を測定します。
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論理演算
